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高精(jing)密儀器和(he)通(tong)信系統的應用下，我們需要考慮(lv)不同封裝(貼(tie)片(pian)/直插)的(de)石英的(de)參數變化(hua)對系統(tong)的影響，包括C0/C1, CL,RR。
C0/C1對穩定性的影響
晶(jing)體的靜態(tai)C0和(he)動態電容C1大小，與晶(jing)片電極面(mian)積(ji)大小(體積(ji)大小)成正比(bi)，不同(tong)設計C0也有(you)差異。
同(tong)一(yi)頻率C0/C1的不同會影響振(zhen)蕩(dang)的穩(wen)定性：
C0/C1大(da)，頻(pin)率(lv)上升到標(biao)稱頻(pin)率(lv)前電抗變大(da)，起振快，頻(pin)率(lv)難(nan)調整，但不易受外面雜(za)散(san)電容影響，適合高穩(wen)需(xu)求;
C0/C1小，頻率(lv)(lv)(lv)變量大(da)，易(yi)受雜(za)散電(dian)容影響，頻率(lv)(lv)(lv)溫(wen)度穩(wen)定性變差，但(dan)易(yi)于CL調(diao)整頻率(lv)(lv)(lv)。
KOAN晶振建議您：
先求穩后求精準度，要合(he)理控制C0/C1范圍，比如49S-25M合(he)理范圍280-310.
CL對(dui)相(xiang)噪和起振的影響
負載電容CL是電路(lu)中跨接晶體兩端的(de)總的(de)有效電容，主要(yao)影響負載(zai)諧振(zhen)頻率(lv)和(he)等效負載(zai)諧振(zhen)，與晶體一起決(jue)定電(dian)路的(de)工(gong)作頻率(lv)，通過調整負載(zai)電(dian)容，就可(ke)以將(jiang)振蕩器的(de)工(gong)作頻率(lv)微(wei)(wei)調到(dao)標(biao)稱值(zhi)。
CL大(da)，遠(yuan)端相噪好;CL過大(da)，難調整到標稱頻率，還容易導致回(hui)路(lu)增大(da)，難(nan)起振;CL小，容易調整頻(pin)率，近端相噪好，易起(qi)振。
晶誠科技(ji)建議(yi)您(nin)：
隨著晶體小型化發展，C0變小，我(wo)們應(ying)相應(ying)降低CL。否則會減弱晶體(ti)C0分流比(bi)例。
RR對振(zhen)幅和激勵功率(lv)的影響(xiang)01
同頻率(lv)晶體的體積越(yue)小RR越大(da)，RL晶(jing)體加負載電容的(de)諧振阻抗(kang)， RL=RR(1+C0/CL)² 。根據其大(da)小，評估振蕩(dang)振蕩寬(kuan)限，滿(man)足(zu)振蕩電路的振幅條件和激勵功(gong)率等級。
02P=I²*RL，可根據電(dian)流(liu)I的大小評估激勵功率等(deng)級和匹配(pei)相應的限流(liu)電(dian)阻
I：晶(jing)(jing)體諧振時流(liu)(liu)經晶(jing)(jing)振的電流(liu)(liu)，與RR成反(fan)比
RL：等效(xiao)電阻(zu)
P：實際跨在晶體上的功率。